- 最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA(フロスフィア)
- ニュース
- FLOSFIA、京大発Ga₂O₃半導体デバイスの最新の量産計画と技術開発に関するお知らせ
- 時事ドットコムで紹介されました「元介護職員が担う「半導体王国」復活 偶然から生まれた新素材、EV用本格量産へ」
- NIKKEI Mobilityで紹介されました「Ga₂O₃パワー半導体、FLOSFIAが年内量産 中国EVも関心」
- ISO関連季刊情報誌『Intertek News』で紹介されました
- FLOSFIAと三洋化成が共同開発!電動化の新時代へ ~マイクロ温度ヒューズによる「Fail Operation」技術でパワーユニットの開発・製品化を加速!~
- NEDO「ディープテック・スタートアップ支援基金/ディープテック・スタートアップ支援事業」に採択されました
- EE Times Japanで紹介されました「FLOSFIAとJSR、イリジウム系成膜材料を新たに開発」
- 化学工業日報で紹介されました「FLOSFIAとJSR、世界初P型半導体実用化へ」
- 日経クロステックで紹介されました「JSRと京大発ベンチャーがα酸化ガリウム向けp型材料、MOSFETなど量産に道」
- FLOSFIAとJSR、世界初のP型半導体「酸化イリジウムガリウム」実用化に向けて進展!
- 世界初、アンペア級・1700V耐圧級のコランダム型酸化ガリウムSBD開発に成功!
- EE Times Japanにて紹介されました
- 酸化ガリウムのP層課題に決着へ!世界初、ウルトラワイドバンドギャップP型半導体「酸化イリジウムガリウム」と組み合わせた構造によりジャンクションバリア効果実証に成功!
- 日経クロステックで紹介されました
- Youtube「テレ東BIZ チャンネル」の取材を受けました
- 「SEMICON JAPAN 2022」に出展します!
- 西脇京都府知事がご来訪されました
- BBC News Channelで紹介されました
- 日本経済新聞で紹介されました
- 電波新聞で紹介されました
- EE Times japanで紹介されました
- 「TECHNO-FRONTIER 2022」に出展します!
- 電波新聞で紹介されました
- 日本経済新聞で紹介されました
- 【プレスリリース】FLOSFIAに三洋化成工業が資本参画!
- 【プレスリリース】FLOSFIAに「しがぎん地方創生SDファンド」が資本参画!
- 【プレスリリース】FLOSFIAにダイキン工業株式会社が資本参画!
- ForbesにFLOSFIAの取り組みが紹介されました
- 【プレスリリース】世界初 少量・多品種生産のニーズに応える金型レスの新型パワーモジュールを開発完了!
- NEDO「省エレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業」に採択されました
- 【プレスリリース】総額10億円でのシリーズEラウンド資金調達を完了
- NEDO主催の表彰プログラムで『省エネルギー技術開発賞・理事長賞』(最優良事業者賞)を受賞!
- 政府国際広報動画 “Innovation Japan”シリーズにて弊社が紹介されました
- JAPAN VENTURE AWARDS 2021にて弊社代表者のインタビュー動画が紹介されました
- 第三者割当増資により5億円を調達いたしました。
- Forbes・BloombergにFLOSFIAの取り組みが紹介されました
- 「サプライチェーン対策のための国内投資促進事業費補助金」に採択されました
- GaO®パワートランジスタ(MOSFET)「半導体・オブ・ザ・イヤー 2020」グランプリを受賞!
- 【プレスリリース】FLOSFIA、GaO®半導体で、SiCを凌駕するチャネル移動度を実現!
- セミコンジャパン2019に出展いたします
- 週刊ダイヤモンド(2019年10月21日発行)に掲載されました
- 【プレスリリース】FLOSFIA、伯東及び協栄産業と国内販売代理店契約を締結
- 【プレスリリース】総額9.5億円でのシリーズDラウンド資金調達を完了
- 政府の海外向け広報誌「Highlighting JAPAN」に掲載されました
- 【プレスリリース】FLOSFIA、資金調達を実施しました
- 平成31年度「知財功労賞」経済産業大臣表彰を受賞いたしました!
- 【プレスリリース】FLOSFIA、資金調達を実施しました
- 本店移転のお知らせ
- 「Japan Venture Awards 2019」で「経済産業大臣賞」を受賞いたしました!
- 特許庁の広報誌「とっきょ」に当社の取り組みが掲載されました
- 経済産業省「地域未来牽引企業」に選定されました
- 「Japan Venture Awards 2019」にノミネートされました
- 【プレスリリース】セラミックス部品を『成膜』で!~あらゆる半導体に集積、サーミスタから~
- 内閣府「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)」に採択されました
- 「イノベーション・ジャパン2018」に出展します
- 【プレスリリース】コランダム構造酸化ガリウムを用いて、世界で初めてノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功!
- コーポレートロゴ変更のお知らせ
- 日本経済新聞(2018年6月25日発行)に掲載されました
- 経済産業省の「J-Startup企業」に選出されました!
- 特許庁が発行する事例集に、当社の知的財産に関する取り組みが紹介されました!
- シリーズC資金調達・デンソーとの協業について、複数メディアに掲載されました
- 【プレスリリース】総額8億円でのシリーズCラウンド資金調達を完了
- 【プレスリリース】京大発ベンチャーFLOSFIAとデンソー、電動化車両向け次世代パワー半導体の開発で協業
- 【プレスリリース】FLOSFIA、資金調達を実施いたしました
- 「CEATEC JAPAN 2017」に出展します
- 日経エレクトロニクス(2017年10月号)に掲載されました
- 「大学発ベンチャー表彰2017」の表彰式が開催されました
- 「大学発ベンチャー表彰2017」で「新エネルギー・産業技術総合開発機構理事長賞」を受賞しました!
- 「イノベーション・ジャパン2017」に出展いたします
- 「機能性フィルム展2017」に出展いたします
- 日刊工業新聞(2017年6月7日発行)に掲載されました
- 電子デバイス産業新聞(2017年6月1日発行)に掲載されました
- 三菱東京UFJ銀行主催の「第4回 Rise Up Festa」にて『優秀賞』(ロボット・先端技術部門)を受賞 いたしました!
- 日経テクノロジーオンライン(2017年4月25日)、EE Times Japan(2017年4月26日)に掲載されました
- 【プレスリリース】FLOSFIA、環境負荷の小さな、非真空ドライめっき技術の開発に成功!
- 【プレスリリース】FLOSFIA、1億円の追加資金調達を実施いたしました(総額8.5億円の資金調達完了)
- 「TECHNO-FRONTIER 2017 第32回 電源システム展」に出展いたします
- 「Compound Semiconductor」にFLOSFIA記事が掲載されました
- 第2回「JEITAベンチャー賞」を受賞いたしました!
- ECPE主催のフォーラムで弊社代表の人羅が講演いたしました
- Compound Semiconductor主催のカンファレンスで弊社代表の人羅が基調講演いたしました
- 【プレスリリース】FLOSFIA、総額7.5億円の資金調達を実施いたしました
- 京大・金子健太郎助教が「第4回京都SMI中辻賞」を受賞されました
- NEDO「エネルギー・環境新技術先導プログラム」に採択されました
- 「FOURIN 世界自動車技術調査月報」(2016年12月号)に掲載されました
- 日経ビジネス「次代を創る100人」に藤田教授が選出されました
- 電波新聞(2016年12月21日号)に掲載されました
- 「パワーエレクトロニクス・サミット2016」にて当社共同創業者である京大・金子健太郎助教が講演いたします
- 日経エレクトロニクス(2016年11月号)に掲載されました
- 「第4回イノベーションリーダーズサミット/ILS 2016」 次世代ベンチャーショーに出展いたします
- 「BioJapan 2016」に出展いたします
- 【プレスリリース】コランダム構造酸化ガリウムを用いて、世界で初めて高速スイッチングと良好な熱抵抗を実現!
- 「CEATEC JAPAN 2016」に出展いたします
- 日経テクノロジーオンライン(2016年9月28日)に掲載されました
- 【プレスリリース】コランダム構造酸化ガリウム パワーデバイスの新規p型層材料の作製に成功!
- 最新研究成果が「Compound Semiconductor( July 2016)」に掲載されました
- NEDO「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」に採択されました
- 東京証券取引所主催の「第3回合同IPOミーティング」で「経営ポテンシャル賞」を受賞しました!
- ノーベル物理学賞受賞の赤﨑勇先生に京都大学のミストCVD装置をご見学いただきました。
- 最新研究成果がIEEE SPECTRUMで紹介されました
- 日本経済新聞(2016年3月15日)に掲載されました
- 日経産業新聞(2016年2月5日)に掲載されました
- 最新研究成果がAPEXに掲載されました
- 【プレスリリース】ミストCVD法で均質な膜が大面積にわたり作製できる理由が明らかに!?
- 日経テクノロジーオンライン(2015年12月28日)に掲載されました
- 「SEMICON Japan 2015」に出展いたします
- 『平成27年度半導体エレクトロニクス部門&ナノ材料部門委員会』にて招待講演いたします
- 【プレスリリース】世界最小のオン抵抗0.1mΩcm2を有する酸化ガリウム製ダイオードの開発に成功いたしました
- 【プレスリリース】第三者割当増資による資金調達実施のお知らせ
- 『第1回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO 2015)』で発表いたします
- 朝日新聞出版AERA(2015年8月24日号)に掲載されました
- 応用物理学会・先進パワー半導体分科会にて研究成果を発表いたしました
- 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 特別顧問の鯉沼秀臣先生よりご講演いただきました。
- 国際学会にて研究成果を発表いたしました
- 日経エレクトロニクス(2015年5月号)に掲載されました
- NEDO「エネルギー・環境新技術先導プログラム」に採択されました
- 日経産業新聞(2015年1月7日)に掲載されました
- 日経エレクトロニクス(2014年12月号)に掲載されました
- 社名を変更しました
- FLAGSHIPS2014に掲載されました
- 目利き委員会にてAランク認定を受けました!
- 京都新聞に掲載されました
- 国際学会にて研究成果を発表しました
- English
- FLOSFIAとSDGs
- 公的研究費の不正使用等に関する通報フォーム
- 公的研究費の管理・運営体制
- 環境・品質方針
- 製品サービス
- 会社概要
- 技術紹介
- 事業紹介
- 採用情報
- お問い合わせ
- エントリーシート
- 個人情報保護に関する取扱い
- 採用に関する個人情報の取扱い
- サイトマップ