ご挨拶
私たちFLOSFIAの願いは、革新的な半導体材料の力で、より豊かで持続可能な社会をつくることです。
いま世界は脱炭素社会への変革の時を迎えています。だからこそ、無駄を極力なくし、電気を効率よく制御・変換する技術が不可欠です。その技術の中心にあるのがパワー半導体と呼ばれる電子部品です。
私たちが注目したのは、「α型酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）」という日本発の革新的な材料です。FLOSFIA は、そのα型酸化ガリウムを活用し、「SiC（炭化ケイ素）を超える低損失」を「シリコン並みの低コスト」で実現する画期的な半導体デバイスを開発しています。
私たちがこの材料に取り組むきっかけには、日本が直面するある課題への強い問題意識があります。日本の大学や研究機関は数多くの革新的な材料を生み出してきました。しかし、世界をリードする優れた技術でありながら、その産業化の段階では海外企業の後塵を拝することが珍しくありません。FLOSFIAはそんな技術を世界に先駆けて実用化し、未来の主力産業へと育て上げる使命を持って生まれました。
FLOSFIAのもう一つの強みは、『水』を原料に半導体をつくる独自の成膜技術「ミストドライ®法（MISTEPITAXY®法）」です。この技術は、材料製造プロセスを革新するとともに、コストの大幅削減や低環境負荷を可能にします。これにより、私たちは新しい半導体の社会実装を加速し、省エネルギーや持続可能性を実現する「半導体エコロジー®」を推進します。
まずは、小型電源用途を皮切りに事業を立ち上げ、将来的には産業機器や電力インフラ、そして電気自動車を含むモビリティ分野など、発展性のある新領域に広く展開していきます。
私たちFLOSFIAは、「日本発の革新的材料をいち早く社会に届け、グリーンかつクリーンな未来に貢献する。」その使命感を胸に、社員一丸となって挑戦を続けていく決意です。今後とも皆さまの温かいご支援、ご指導を賜りますよう、お願い申し上げます。
株式会社FLOSFIA
代表取締役社長 四戸孝
創業者ご挨拶
私がFLOSFIAを創業したのは、「優れた日本発の新材料をいち早く世界で事業化し、社会に役立てたい」という強い想いからでした。
2011年の設立以来、京都大学発の画期的なミスト技術を核として、世界で初めてコランダム構造酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）によるパワー半導体材料の実用化に取り組んでまいりました。
当初は基礎研究を中心とする小さなスタートアップでしたが、現在では世界的にも注目される企業へと成長し、新材料を用いた革新的なデバイスの開発、量産技術の確立、有力企業との協力体制の構築などを着実に進めています。
私たちはこれまで、事業成長や環境の変化に伴って必要となる強固な組織基盤づくりを着実に行ってまいりました。経営体制の充実、先進的な経営管理手法の導入、そして人材の育成と活躍を通じて、継続的に経営基盤の強化に取り組んでおります。今後ともさらなる事業発展に向けて、常に組織の革新とレベルアップを図り、企業価値の向上を目指してまいります。
FLOSFIAはこれからも、グリーンかつクリーンなイノベーションを通じて、新材料が秘める可能性を世界へ幅広く届け、持続可能な社会の実現に貢献してまいります。
皆様には、末永くFLOSFIAの挑戦をご支援・ご指導いただきますよう、心からお願い申し上げます。
株式会社FLOSFIA
創業者 取締役会長 人羅俊実
