最新研究成果が「Compound Semiconductor（ July 2016）」に掲載されました

FLOSFIAのコランダム構造酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）を用いた超低オン抵抗SBD開発成功に関する記事が、「Compound Semiconductor magazine（Volume 22, Issue 5, July 2016）」 に掲載されました。
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