2017年4月6日、株式会社FLOSFIA（本社：京都府京都市、代表取締役社長：人羅俊実） は、Eight Roads Ventures Japanを引受先として、約1億円の第三者割当増資を実施しました。当社は、2017年3月2日、ベンチャーキャピタル及び事業会社の数社を引受先として、総額7億5,000万円の第三者割当増資を実施しております。これにより今回のラウンドの資金調達額は総額8億5,000万円、これまでの累計資金調達額は約14億5,000万円となりました。
今回の資金調達資金を用いて製造ラインを構築し、α-Ga2O3パワーデバイスを世界に先駆けて量産販売することを目指します（2018年予定）。
■ 詳細はこちら：「資金調達実施のお知らせ～FLOSFIA 1億円の追加調達を実施、総額8億5,000万円の資金調達完了～」プレスリリース（PDF）
「FLOSFIA Inc. closes JPY 850 Million Series B Round for Gallium Oxide Power Devices」Press Release（PDF）
【2017年3月・4月 資金調達引受先】（※）それぞれが運営するファンドにて引受
・みやこキャピタル株式会社株式会社（※）
・株式会社環境エネルギー投資（※）
・株式会社東京大学エッジキャピタル（※）
・ニッセイ・キャピタル株式会社（※）
・株式会社安川電機
・京都大学イノベーションキャピタル株式会社（※）
・フューチャーベンチャーキャピタル株式会社（※）
・Eight Roads Ventures Japan（※）
【省エネ化の切り札となる取組み】
省エネを社会全体で実現するためには、低損失なものを、安く作る新しい技術が必要不可欠です。α-Ga2O3は京都大学藤田静雄教授によって見出された画期的なパワー半導体材料で、当該半導体を用いたパワーデバイスは電力変換損失を大幅に削減させつつ（最大90％程度）、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる（50％程度）ことが期待されることから、その量産化が嘱望されています。
FLOSFIAでは藤田静雄教授と連携し、世界に先駆けてこのα-Ga2O3半導体の研究開発に取り組み、数々の成果を上げてきました。従来のパワー半導体は高真空装置を用いて製造されるのに対し、真空装置を使わない画期的な製造方法MISTEPITAXY®法を用いてダイオード（SBD）の実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現し、高速スイッチングを確認しました。さらにα-Ga2O3半導体の弱点の克服となる技術開発にも成功、標準パッケージ（TO220）に実装して良好な熱抵抗を実現するとともに、α-Ga2O3半導体とほぼ同じ格子定数を有する新規p型半導体酸化イリジウム（α-Ir2O3）を発見してノーマリーオフトランジスタ（FET）の基礎技術も構築してきました。
今後、さらにSBDおよびFETの製品化・量産化を加速し、より幅広い産業領域に、低損失・低コストなα-Ga2O3パワー半導体を展開することを目指してまいります。
【本件に関するお問い合わせ先】
・株式会社FLOSFIA コーポレートサポート部（担当：間嶋）（TEL：075-963-5202）