FLOSFIAは、汎用パッケージTO220に搭載したSBDの試作をおこない、スイッチング損失の評価に世界で初めて成功、高速スイッチングを確認しました。また、材料物性から懸念されてきた熱抵抗についても、独自のデバイス構造により、良好な値を達成しました。
この研究成果と平成28年9月28日の京都大学との共同発表成果（新規p型材料「α-Ir2O3」作製成功）により、α-Ga2O3パワーデバイスの事業化への加速化を進めてまいります。
■ 本成果の技術的な特徴、作製方法等につきましては関連ファイルをご参照ください
関連ファイル：プレスリリース（2016年10月4日）
「注目のパワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）」を用いて、世界で初めて高速スイッチングおよび良好な熱抵抗を実現！」
■ 本成果は10月4日から7日まで開催されるCEATEC JAPAN 2016（幕張メッセ）にて発表します（FLOSFIAブース ホール４ No.4C16）