【プレスリリース】コランダム構造酸化ガリウムを用いて、世界で初めてノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功!

FLOSFIAは、京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、世界で初めて、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いた、電界効果型トランジスタ(MOSFET)のノーマリーオフ動作の実証に成功いたしました!

2016 年の当グループによる発表までは、Ga2O3デバイスにおいてはP型層の形成が理論上不可能と考えられ、ノーマリーオフ動作は実現不可能と認識されてきたことから、今回の新規P型半導体を用いた反転層チャネルは革新的な成果といえます。

これにより、電気自動車を始めとする安全・安心が求められる幅広い電源領域での適用が期待され、電気 自動車や小型ACアダプタの普及を後押しすることが期待できます。

詳細は下記プレスリリースをご覧ください。

■ プレスリリース
「世界初!注目の新規半導体「酸化ガリウム(Ga2O3)」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功!
~EV普及の「三種の神器」パワー半導体で課題を解決、酸化ガリウムをパワー半導体のスタンダードへ!~」(PDF)

※ 今回、待望されてきたMOSFETを試作し、ノーマリーオフ動作の実証に成功いたしました(図1)。
デバイス構造としては、サファイア基板上に酸化ガリウムを用いたN+型ソース・ドレイン層や新規P型半導体層を用いたP型ウェル層、ゲート絶縁膜、電極などを形成しました(図2・図3)。 測定した電流-電圧特性から外挿したゲート閾値電圧は7.9Vでした。本デバイスでは、コランダム構造を有する新規P型半導体層をチャネ ル層として用いており、反転層チャネルの動作実証に成功したと解釈されます。

プレス図5