FLOSFIAでは、省エネ化のキー材料の一つと考えられている酸化ガリウム（Ga2O3）を用い、世界最小（FLOSFIA調べ）のオン抵抗である0.1mΩcm2のショットキーバリアダイオード（以下、SBD）を実現しました。し […]
次世代パワーデバイスの開発販売を手掛ける株式会社FLOSFIA（本社：京都府京都市、代表取締役社長：人羅俊実）は、株式会社東京大学エッジキャピタル、ニッセイ・キャピタル株式会社が運用するファンド、ブラザー工業株式会社等を […]
2015年11月5日(木)、「第1回酸化ガリウムおよび関連材料に関する国際ワークショップ(IWGO 2015)」(International Workshop on Gallium Oxide andRelated Ma […]
朝日新聞出版発行の『AERA』（2015年8月24日号）で、「日本を動かすベンチャー100」の1社として弊社が掲載されました。
2015年7月、茨木県つくば市で開催された「公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会（幹事長 京都大学木本恒暢教授）」主催の『第3回先進パワー半導体分科会研究会』にて、『MIST EPITAXY法を用いたコランダ […]
2015年6月17日（水）、京都大学桂キャンパスで、酸化物エレクトロニクス・コンビナトリアル手法の先駆者である鯉沼秀臣先生からこれまで のご研究成果についてご講演いただきました。（京都大学、FLOSFIA共催）
2015年6月、アメリカ（オハイオ州立大学）で開催された国際学会・73rd Device Research Conference（DRC）にて、酸化ガリウム（Ga2O3）自立結晶性フィルムの作製（熱伝導率の課題解決）およ […]
日経エレクトロニクス（2015年5月号／2015年4月20日発行）の特集記事「大学発世界企業」で、弊社取組み内容・研究成果が事例として紹介されました。
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の平成26年度「エネルギー・環境新技術先導プログラム」において、研究開発テーマ「高品質/高均質薄膜を実現する非真空成膜プロセスの研究開発」が採択されました。当テー […]
2015年1月7日付の日経産業新聞 「新進気鋭」のコーナーで、当社の取り組み内容や研究成果について取り上げていただきました。