FLOSFIAは、汎用パッケージTO220に搭載したSBDの試作をおこない、スイッチング損失の評価に世界で初めて成功、高速スイッチングを確認しました。また、材料物性から懸念されてきた熱抵抗についても、独自のデバイス構造に […]
FLOSFIAは、2016年10月4日から7日まで幕張メッセ（千葉市）で開催される「CEATEC JAPAN 2016」に出展いたします。 詳細は「CEATEC JAPAN 2016 公式サイト」よりご確認ください＜CE […]
2016年9月28日（水）、日経BP社が運営する「日経テクノロジーオンライン」に、FLOSFIAと京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教の共同最新研究成果が紹介されました。■詳細はこちら 『新パワー半導体「酸化ガリウム」 […]
FLOSFIAは、京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワーデバイスのp層として利用可能な格子定数差0.3%の「コランダム構造酸化イリジウム（α-Ir2O3）」の作 […]
FLOSFIAのコランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた超低オン抵抗SBD開発成功に関する記事が、「Compound Semiconductor magazine（Volume 22, Issue 5, Ju […]
FLOSFIAが、京都大学と佐賀大学を共同研究者として提案した「コランダム構造酸化ガリウムα-Ga2O3を用いた600V耐圧SBDの開発」が、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の平成28年度「 […]
㈱東京証券取引所は証券市場の活性化の一環として、地域に根差した活動を展開しておられ、特に「関西」でのベンチャー企業の株式上場を活性化するための後方支援活動として、定期的に『合同IPOミーティング』を開催されています。 […]
2016年 4月15日（金）、ノーベル物理学賞受賞の赤﨑勇先生に京都大学のミストCVD装置をご見学いただき、当社人羅が同席、意見交換を行いました。 当社の取り組みは、新しい半導体材料を開発して世の中を良くすることであり、 […]
コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた超低オン抵抗SBDの研究成果が，電気工学技術の学会誌「IEEE SPECTRUM」のホームページで紹介されました． → IEEE SPECTRUM掲載サイト
2016年3月15日付の日本経済新聞朝刊 、近畿経済・京滋面「企業Next ものづくり新時代①」のコーナーで、ものづくりの革新に挑む企業として弊社の取り組みが紹介されました。