日刊工業新聞（2026年8月20日付）に当社の取り組みが掲載されましたので、お知らせします。
記事では、創業者・取締役会長の人羅と取締役の天田が、GaO®パワーデバイスの量産に向け、技術ライセンスを軸に半導体メーカーやファウンドリーなどとの協業を広げる方針と、8インチウェハへの大口径化について説明しています。
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日刊工業新聞「フロスフィア、「ポストSiC」量産へ協業拡大 ８インチウエハー製造目指す」（2026年8月20日）
※「GaO®」・「ミストドライ®」・「半導体エコロジー®」はFLOSFIAの登録商標です。