株式会社FLOSFIA（本社：京都市、代表取締役社長：四戸 孝）は、国立研究開発法人 科学技術振興機構（JST）が運営する「研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）実装支援（返済型）」の2025年度募集において、開発支援の対象に採択されました。
本事業の支援を受け、α型酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）の優れた材料特性を活かした世界最高水準の低損失・高耐圧を持つパワーMOSFETの開発を進め、電力変換の高効率化と低コスト化を両立する実装技術として、社会への普及を目指してまいります。
■ 本開発で目指すこと
1200V級の高耐圧パワーMOSFETを開発するとともに、AIデータセンターや電気自動車（EV）向けに求められる性能実証を行い、顧客企業への試作品提供を進めてまいります。あわせて、国際的な半導体信頼性基準に基づく長期試験を実施し、実用レベルでの信頼性確保にも取り組みます。
■ 実用化が進めば、社会はどう変わるのか
電力変換時の電力ロスが低減されることで、エネルギーコストとCO₂排出量の削減が期待されます。FLOSFIAは、AIデータセンター、電気自動車用インバータや充電器、産業用電源、電力インフラ機器など、幅広い分野への展開を見据え、「低損失・高耐圧・低コスト」を同時に達成することで、パワー半導体市場に新たな選択肢を提供し、エネルギー効率の高い社会の実現に貢献してまいります。
■ 関連リンク
JST プレスリリース：https://www.jst.go.jp/pr/info/info1847/index.html
PR TIMES：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000021.000139562.html
【本件に関するお問い合わせ先】
株式会社FLOSFIA パワーデバイス事業本部（担当：中澤）
Email：info(ｱｯﾄ)flosfia.com
※「GaO®」・「ミストドライ®」・「半導体エコロジー®」はFLOSFIAの登録商標です。