この度、FLOSFIAは、独自に開発を手掛ける新しい半導体「GaO®」（材料名α-Ga2O3:コランダム構造酸化ガリウム）を用いたノーマリーオフ動作するパワートランジスタ（MOSFET）において、先行する市販SiCの特性を大幅に超えるチャネル移動度72cm2/Vsを実現しました。「ノーマリーオフ動作」は、ゲートに電圧をかけないときにオフ動作することをいい、安全・安心な電気システムのために重要なパワートランジスタの特性です。また、「チャネル移動度」は、低損失な電気システムのために重要なパワートランジスタの特性です。今回、GaO®半導体を用いて、これら二つの特性を同時に実現することに成功しました。
この結果を受けて、デバイスシミュレーションにより耐圧600～1200V級MOSFETの特性オン抵抗を試算したところ、市販SiCの約50%以下となることも確認され（FLOSFIA調べ）、SiCを大幅に凌駕する特性が期待できることが明らかとなりました。
今後、電気自動車の燃費向上やロボット・ACアダプタの高機能化、小型化、低コスト化に貢献すること、そして、低環境負荷社会の実現に貢献することを目指し、2021年以降の実用化を目指します。
なお、本研究は、内閣府総合科学技術・イノベーション会議の戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）「IoE社会のエネルギーシステム」（管理法人：国立研究開発法人 科学技術振興機構）によって実施されました。
注：「GaO®」はFLOSFIAの登録商標です。
■ 詳細はこちら：「GaO®半導体で、SiCを凌駕するチャネル移動度を実現！」（プレスリリースPDF）
※ 本成果は産業タイムズ社「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」の半導体デバイス部門でグランプリに選ばれました：詳細はこちら（ニュースリンク）
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【本件に関するお問い合わせ先】
株式会社FLOSFIA
E-mail: info(ｱｯﾄ)flosfia.com
※(ｱｯﾄ)を@に変更ください。