FLOSFIAは、京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、世界で初めて、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた、電界効果型トランジスタ（MOSFET）のノーマリーオフ動作の実証に成功いたしました！
2016 年の当グループによる発表までは、Ga2O3デバイスにおいてはP型層の形成が理論上不可能と考えられ、ノーマリーオフ動作は実現不可能と認識されてきたことから、今回の新規P型半導体を用いた反転層チャネルは革新的な成果といえます。
これにより、電気自動車を始めとする安全・安心が求められる幅広い電源領域での適用が期待され、電気 自動車や小型ACアダプタの普及を後押しすることが期待できます。
詳細は下記プレスリリースをご覧ください。
■ プレスリリース
「世界初！注目の新規半導体「酸化ガリウム（Ga2O3）」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に成功！
■ 京都大学研究成果発表ページ
新規半導体「コランダム構造酸化ガリウム」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に世界で初めて成功しました
※ 今回、待望されてきたMOSFETを試作し、ノーマリーオフ動作の実証に成功いたしました（図1）。
デバイス構造としては、サファイア基板上に酸化ガリウムを用いたN+型ソース・ドレイン層や新規P型半導体層を用いたP型ウェル層、ゲート絶縁膜、電極などを形成しました（図2・図3）。 測定した電流-電圧特性から外挿したゲート閾値電圧は7.9Vでした。本デバイスでは、コランダム構造を有する新規P型半導体層をチャネ ル層として用いており、反転層チャネルの動作実証に成功したと解釈されます。
