株式会社FLOSFIAは、2025年3月31日付で、四戸孝が新たに代表取締役社長に、中澤達洋が新たに代表取締役副社長に就任したことをお知らせいたします。また、創業者である前代表取締役社長の人羅俊実は新たに取締役会長に就任いたしました。新たな経営体制のもと、経営基盤の強化を図り、さらなる事業の発展と企業価値の向上を目指してまいります。
■ 創業者・取締役会長 人羅 俊実からのコメント
このたび弊社は2024年3月31日付けで組織体制を刷新し、私 人羅俊実は代表取締役を退き、取締役会長に就任いたしました。2011年の創業以来、京都大学発のミスト技術を核として、世界初のコランダム構造酸化ガリウムによる画期的なパワー半導体材料の事業化に邁進してまいりました。当初は基礎的な研究開発を中心とするスタートアップでしたが、現在では当社の取り組みがグローバルで注目されるステージへと進化し、新規デバイスの量産体制構築や有力企業との事業提携が必要なフェーズへと移行しています。
私は、半導体領域で複数のベンチャー事業立ち上げを経験し、自ら研究開発・製造品質管理・営業・マーケティング・財務経理・契約等、業務全般にわたり手がけてきました。特に、当社では誰も見向きもしなかった新材料を使った世界最高レベルのデータの実現をリードすることができました。その経験を活かし、近年ではOKRやコンピテンシー、タレントアクティベーションなどの先進的経営管理手法を導入し、「世界初」に相応しい強固な組織体制の構築を行ってまいりました。このたび、当社の成長をさらに加速させるために、これまで技術開発や事業化を実際に推進してきた四戸、中澤という両名を代表取締役として据えることを決定いたしました。私は引き続き取締役会長として、両名をはじめとする経営陣を全面的にサポートしてまいります。今後ともFLOSFIAのさらなる進化にご期待いただき、一層のご支援を賜りますようお願い申し上げます。
■ 代表取締役社長 四戸 孝からのコメント
このたび、人羅が代表取締役を退き、取締役会長に就任するタイミングで、新たに私が代表取締役社長を拝命いたしました。私はこれまで、大手半導体メーカーにてSi-IGBTやSiCパワーデバイスの研究開発から電車等の電力変換機器への適用まで一貫して取り組んできた経験を持ち、数々の国レベルの大型研究開発プロジェクトへの会社代表としての参画やSiCなどの新規半導体材料の国際標準化の統括責任者を経験してまいりました。FLOSFIA参画後も、国プロの研究代表者や材料・デバイス開発に従事し、当社のコランダム構造酸化ガリウム技術を着実に前進させる努力を重ねてきました。
創業者の人羅がこれまで築いた経営基盤・体制を受け継ぎ、また代表取締役副社長の中澤とともに当社のさらなる飛躍を目指していく所存です。世界的にも注目される当社の独自パワーデバイスの本格的な事業化と業容拡大に向けて、従業員一丸となって邁進してまいりますので、引き続きご支援賜りますようお願い申し上げます。
■ 代表取締役副社長 中澤 達洋からのコメント
このたび、代表取締役副社長を拝命し、新経営体制のもとで当社を牽引していけることを光栄に存じます。私は、これまで大手材料メーカーにて通信デバイスやソーラーパネル向けガラス材料の開発に携わり、多数の広範なプロジェクトマネジメントを経験してまいりました。その後、FLOSFIAでは新規プロジェクトの立ち上げ、事業化戦略の策定などに尽力し、パワーデバイス事業の責任者として多くの成果を上げてまいりました。
今後は新たに代表取締役社長の四戸とともに、人羅が築き上げてきた組織基盤を最大限に活用し、スピード感をもって経営を推進し、コランダム構造酸化ガリウムデバイスの量産化および事業提携等を着実に進めていく所存です。MBA、中小企業診断士として培った経営視点も活かし、当社の持続可能な成長を実現してまいります。引き続きご支援とご指導の程、何卒よろしくお願い申し上げます。