FLOSFIAが開発した、GaO®パワートランジスタ（MOSFET）が、電子デバイス産業新聞主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」において、半導体デバイス部門でグランプリを受賞しました。
「半導体・オブ・ザ・イヤー」は、電子デバイス産業新聞（発行元：産業タイムズ社）の主催により、IT産業を支える最先端の製品・技術を表彰し、半導体業界のさらなる発展に寄与することを目的として、1994年から毎年開催されています。
受賞対象となったGaO®パワートランジスタは、極めて優れた材料物性を持つことから注目されているコランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いて作製したMOS構造のトランジスタであり、ノーマリーオフ動作と高いチャネル移動度を同時に実現しています。
この成果は、今後、FLOSFIAのα-Ga2O3パワーデバイス「GaO®」シリーズとして2021年以降に量産予定で、さまざまな電力変換器への搭載を目指します。そして、電気自動車の燃費向上やロボット・ACアダプタの高機能化、小型化、低コスト化に貢献し、低環境負荷社会の実現に貢献いたします。
■ 産業タイムズ社の発表はこちら：「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」受賞者発表!!（サイトリンク）
■ 当社プレスリリースはこちら：「GaO®パワートランジスタ（MOSFET）「半導体・オブ・ザ・イヤー 2020」グランプリを受賞！」（PDFリンク）
■ 受賞対象となった研究成果のプレスリリースはこちら：「FLOSFIA、GaO®半導体で、SiCを凌駕するチャネル移動度を実現！」（サイト内リンク）
※特記事項
受賞の対象となった研究開発は、内閣府総合科学技術・イノベーション会議の戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）「IoE社会のエネルギーシステム」（管理法人：国立研究開発法人 科学技術振興機構）によって実施されました。
「GaO®」はFLOSFIAの登録商標です。