「パワーエレクトロニクス・サミット2016」にて当社共同創業者である京大・金子健太郎助教が講演いたします

2016年11月29日(火)、「パワーエレクトロニクス・サミット2016」（会場：秋葉原コンベンションホール／主催：日経エレクトロニクス、日経テクノロジーオンライン）にて、当社共同創業者の京都大学・金子健太郎助教が講演を行います。
 詳細は「日経テクノロジーオンライン 告知サイト」よりご確認ください。

■ サミット概要
・日時：2016年11月28日（月）10:30～17:30
　　 　   2016年11月29日（火）10:00～17:00
・会場：秋葉原コンベンションホール（東京・秋葉原）

■ 講演題目【発表日時：11月29日（火）14:45 – 15:35】

『酸化ガリウムデバイスの最新開発動向コランダム構造材料群を活用して課題を一掃し、次世代の本命へ』

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップをもつ半導体であるが、ドーパントによる導電性制御が可能であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる大変魅力的な材料である。しかも安価な市販基板を用い、ミストCVD法 (MIST EPITAXY^®法)という安価で簡便なプロセスで製造できることから、シリコン以下の低コスト化が可能である。そのため、長期的には次世代パワーデバイスの本命材料ともみられつつあり、特にこれまで実質的に手つかずであった、家電などの小中電力分野の省エネ化への貢献が期待されている。本講演ではFLOSFIAと京都大学とがいかにして、積年の課題であったｐ型層の候補材料を見出し、世界最小のオン抵抗値0.1mΩcm²を有するSBDを実現してきたのかを説明するとともに、最新のデバイスデータについて発表する。