2015年7月、茨木県つくば市で開催された「公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会(幹事長 京都大学木本恒暢教授)」主催の『第3回先進パワー半導体分科会研究会』にて、『MIST EPITAXY法を用いたコランダム構造酸化ガリウム(Ga2O3)系パワーデバイスの研究開発』と題して、これまでの基礎技術構築やデバイス実証試作成功等の研究成果やGa2O3自立フィルムを用いたショットキーバリアダイオード試作等の最新研究成果を発表しました。
2015年7月、茨木県つくば市で開催された「公益社団法人応用物理学会 先進パワー半導体分科会(幹事長 京都大学木本恒暢教授)」主催の『第3回先進パワー半導体分科会研究会』にて、『MIST EPITAXY法を用いたコランダム構造酸化ガリウム(Ga2O3)系パワーデバイスの研究開発』と題して、これまでの基礎技術構築やデバイス実証試作成功等の研究成果やGa2O3自立フィルムを用いたショットキーバリアダイオード試作等の最新研究成果を発表しました。