FLOSFIAは、京都大学・藤田静雄教授、金子健太郎助教と共同で、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワーデバイスのp層として利用可能な格子定数差0.3%の「コランダム構造酸化イリジウム（α-Ir2O3）」の作製に成功しました。
この成果は、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた超低損失・低コストなノーマリーオフ型パワートランジスタの実現に活路を見出す画期的なものです。
■ 本成果の技術的な特徴、作製方法等につきましては関連ファイルをご参照ください
関連ファイル：プレスリリース（2016年9月28日）
「注目の新規パワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）」を用いた超低損失・低コストなノーマリーオフ型パワートランジスタの
実現に活路！p層として利用可能な格子条数差0.3％の「コランダム構造酸化イリジウム（α-Ir2O3）」の作製に成功！」