【プレスリリース】FLOSFIA、総額7.5億円の資金調達を実施いたしました

本日平成29年3月2日、株式会社FLOSFIA( 本社: 京都府京都市、代表取締役社長: 人羅俊実) は、ベンチャーキャピタル及び事業会社の数社を引受先として、総額7億5千万円の第三者割当増資を実施しました。
今回の資金調達資金を用いて製造ラインを構築し、α-Ga2O3パワーデバイスを世界に先駆けて量産販売することを目指します(2018年予定)。

■ 詳細はこちら:「資金調達実施のお知らせ~FLOSFIA 総額7億5,000万円の第三者割当増資を実施~」プレスリリース(PDF)
        「FLOSFIA Inc. Raises JPY 750 Million Series B Round for Gallium Oxide Power Devices」Press Release(PDF)

【本資金調達引受先】(※)それぞれが運営するファンドにて引受
・みやこキャピタル株式会社株式会社(※)
・株式会社環境エネルギー投資(※)
・株式会社東京大学エッジキャピタル(※)
・ニッセイ・キャピタル株式会社(※)
・株式会社安川電機
・京都大学イノベーションキャピタル株式会社(※)
・フューチャーベンチャーキャピタル株式会社(※)

【省エネ化の切り札となる取組み】
 省エネを社会全体で実現するためには、低損失なものを、安く作る新しい技術が必要不可欠です。α-Ga2O3は京都大学藤田静雄教授によって見出された画期的なパワー半導体材料で、当該半導体を用いたパワーデバイスは電力変換損失を大幅に削減させつつ(最大90%程度)、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる(50%程度)ことが期待されることから、その量産化が嘱望されています。
 FLOSFIAでは藤田静雄教授と連携し、世界に先駆けてこのα-Ga2O3半導体の研究開発に取り組み、数々の成果を上げてきました。従来のパワー半導体は高真空装置を用いて製造されるのに対し、真空装置を使わない画期的な製造方法MISTEPITAXY®法を用いてダイオード(SBD)の実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現し、高速スイッチングを確認しました。さらにα-Ga2O3半導体の弱点の克服となる技術開発にも成功、標準パッケージ(TO220)に実装して良好な熱抵抗を実現するとともに、α-Ga2O3半導体とほぼ同じ格子定数を有する新規p型半導体酸化イリジウム(α-Ir2O3)を発見してノーマリーオフトランジスタ(FET)の基礎技術も構築してきました。

 今後、さらにSBDおよびFETの製品化・量産化を加速し、より幅広い産業領域に、低損失・低コストなα-Ga2O3パワー半導体を展開することを目指してまいります。

【本件に関するお問い合わせ先】
・株式会社FLOSFIA コーポレートサポート部(担当:間嶋)(TEL:075-963-5202/Mail:info@flosfia.com)