【プレスリリース】コランダム構造酸化ガリウムを用いて、世界で初めて高速スイッチングと良好な熱抵抗を実現!

FLOSFIAは、汎用パッケージTO220に搭載したSBDの試作をおこない、スイッチング損失の評価に世界で初めて成功、高速スイッチングを確認しました。また、材料物性から懸念されてきた熱抵抗についても、独自のデバイス構造により、良好な値を達成しました。

この研究成果と平成28年9月28日の京都大学との共同発表成果(新規p型材料「α-Ir2O3」作製成功)により、α-Ga2O3パワーデバイスの事業化への加速化を進めてまいります。
    

■ 本成果の技術的な特徴、作製方法等につきましては関連ファイルをご参照ください
  関連ファイル:プレスリリース(2016年10月4日)
 「注目のパワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3」を用いて、世界で初めて高速スイッチングおよび良好な熱抵抗を実現!」

■ 本成果は10月4日から7日まで開催されるCEATEC JAPAN 2016(幕張メッセ)にて発表します(FLOSFIAブース ホール4 No.4C16